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原理
STM32F103C8T6：SRAM 20KB (起始地址：0x2000 0000)
FLASH 64KB (地址：0x0800 0000 - 0x0800 FFFF)
32位在现代计算机体系中，内存寻址都是`字节寻址`,因此，一个32位的系统理论上可以拥有 4,294,967,296 个不同的地址,所以代表4,294,967,296Byte(字节)，即4GB。一个32位系统，其理论上最大可以寻址的内存空间是 4 GB (GigaBytes)。
概述
作用：
1.没有OTA时，A区直接跳转B区
2.给B区更新程序
3.串口IAP(本地串口升级)
4.在线平台升级时，设置version保存在eeprom
5.使用W25Q64，不同任务切换
Step1.串口
总体方案：DMA + 空闲中断
关系：
|- IN OUT END 三个指针
|- 以结构体mark为元素的数组，单个元素指向单次串口传输的开头与结尾
|- 存放数据的缓冲区
简要概述：
1.END指针始终指向数组的结尾，作为边界，防止IN END数组越界
2.在空闲中断中，将end指针指向数据的结尾，start指针移动指向下一组数据的开始并告诉给DMA
3.IN类似写入，控制结构体数组
实际操作
串口空闲中断+DMA+缓冲区重新整理
1.关于缓冲区和结构体指针数组，首先都要防止数组越界。可抽象成环形缓冲区。
关于缓冲区主要判断缓冲区大小够不够下一次传输(buffer_size),如果不够则回卷
结构体数组判断IN/OUT指针的值是否等于END指针的值，等于则进行回卷
2.IN为写入，OUT为读取，初始化时都指向结构体数组的起始地址，如果IN=OUT说明没有写入值。
3.DMA单次传输完成，根据DMA函数计算出规定的(buffer_size)剩余的大小，可以得出当前写入的字节，从而确定IN[i].end和IN[i].start指向的位置，并根据这些值判断是否进行回卷。
1.初始化GPIO,USART(DMA+空闲中断),NVIC,DMA
code
2.初始化IN OUT END 指针指向特定位置，并将计数置0。
code
3.核心流程
4.测试读取(printf重定向+缓冲区读取)
code
代码地址(usart_dama)
Step2.W25Q64&内部flash
特别注意：SPI的收与发是同时进行的,意味着在一些SPI外设，发送寄存器指令后，本次接收到的是无效数据，下一次接收到的才是目标数据。W25Q64
结构：总大小8MB → 128块(64KB/块) → 16扇区(4KB/扇) → 16页(256B/页)
命令表：
从表中可以看出擦除是以
块、 扇区 、 扇区为单位进行擦除的，而写入是以 页为单位写入。每个地址对应一个字节(Byte),地址计算如下:
块地址: blockID * 64 * 1024
扇地址:sectorID * 4 * 1024
页地址:pageID * 256
核心：
1.先擦除，后写入：Flash 存储器的特性决定了只能将 1 改为 0，不能直接将 0 改为 1。因此，在写入新数据前，必须先将对应的存储区域擦除。擦除后，该区域的所有位都将变为 1 (即 0xFF)。
2.写使能 (Write Enable)：W25Q64 为了防止误操作，规定在执行任何“擦除”或“写入”命令之前，都必须先发送一个“写使能”命令 (0x06)。
3.等待忙碌状态结束：无论是擦除还是写入，都需要一定的时间来完成（擦除尤其耗时）。在此期间，芯片会处于“忙碌”状态。必须通过读取状态寄存器，等待“BUSY”标志位变为 0 后，才能进行下一步操作。
单片机内部FLASH
ps:此模块在数据手册没有对应章节,需要查阅官方FLASH编程手册
pm0075-stm32f10xxx-flash-memory-microcontrollers.pdf 与操作外部 SPI Flash 需要发送指令不同，操作 STM32 内部 Flash 是通过直接读写内部的闪存接口寄存器 (FPEC) 来完成的。库函数（如 FLASH_ErasePage）已经封装好了这些复杂的操作。
其标准流程可以概括为 “解锁 -> 擦除 -> 写入 -> 锁定”。
步骤
Step 1: 解锁 Flash (Unlock)
目的：为了防止程序意外修改 Flash 内容（尤其是程序代码区），Flash 控制器在默认情况下是锁定的，禁止任何擦除和写入操作。
操作：在进行任何写/擦操作之前，必须先调用 FLASH_Unlock() 来解除保护。
Step 2: 擦除页面 (Erase Page)
原则：先擦除，后写入。Flash 只能从 1 变为 0，不能从 0 变为 1。擦除操作会将指定区域的所有位都置为 1 (即 0xFFFFFFFF)。
单位：内部 Flash 的最小擦除单位是 页 (Page)。对于 STM32F103 系列，一页通常是 1KB（小容量型号）或 2KB（大容量型号）。stm32f103c8t6则是64Kflash,一页1KB。
操作：
等待就绪：擦除操作需要时间。在发送擦除命令前，必须通过 while(FLASH_GetStatus() == FLASH_BUSY); 来等待上一个操作完成，确保 Flash 控制器处于空闲状态。
执行擦除：调用 FLASH_ErasePage(Page_Address)，传入要擦除的页的起始地址。
Step 3: 写入数据 (Program)
单位：对于 STM32F1 系列，写入的基本单位是 字 (Word, 32位) 或 半字 (Half-Word, 16位)。
操作：
等待就绪：与擦除一样，每次写入前都必须用 while(FLASH_GetStatus() == FLASH_BUSY); 等待 Flash 控制器空闲。
执行写入：调用 FLASH_ProgramWord(Address, Data)，传入要写入的绝对地址和32位数据。
Step 4: 锁定 Flash (Lock)
目的：操作完成后，为了安全起见，应重新锁定 Flash，防止后续代码意外改动。
操作：调用 FLASH_Lock()。
Step 5: 读取数据 (Read)
特点：读取 Flash 不需要任何特殊操作！
操作：STM32 的 Flash 和 RAM 一样，是统一编址的。只需要知道数据的绝对地址，就可以像读取一个普通变量或数组一样，通过指针直接读取。
代码地址(w25q64&flash)
Step3.构建BootLoader程序
- 作者:乌龟の笔记
- 链接:https://tangly1024.com/article/OTA升级
- 声明:本文采用 CC BY-NC-SA 4.0 许可协议，转载请注明出处。
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